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J-GLOBAL ID：200903090196935643

半導体装置の製造方法

Inventor： 鈴木 邦広
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991281797
Publication number (International publication number)：1993121735
Application date： Oct. 29, 1991
Publication date： May. 18, 1993
Summary：

【要約】【目的】 しきい値電圧のばらつきの小さなMOSFETの製造方法に関し,結晶欠陥のないチャネル領域を形成することを目的とする。【構成】 半導体基板上にソース領域8及びドレイン領域7と,チャネル6aが形成される不純物領域6を有するMOSFETを含む半導体装置の製造方法において,半導体基板1表面の少なくともチャネル6aが形成されるべき領域を覆う酸化膜3を形成し,酸化膜3上に少なくともチャネル6aが形成されるべき領域を覆う不純物が添加されたポリシリコン層4を堆積し,ポリシリコン層4を覆う不純物の外方拡散防止膜5を堆積し,水素ガス又は水素の混合ガス中でする拡散熱処理により,ポリシリコン層4中の不純物を酸化膜3を透過して該基板1表面に拡散させ不純物領域6を形成するように構成する。

Claim (excerpt)：

半導体基板(1)に設けられたソース領域(8)及びドレイン領域(7)と,該ソース領域(8)と該ドレイン領域(7)の間の該半導体基板(1)表面に設けられた不純物領域(6)にチャネル(6a)が形成される金属・酸化膜・電界効果トランジスタ(MOSFET)を有する半導体装置の製造方法において,該半導体基板(1)表面の少なくとも該チャネル(6a)が形成されるべき領域を覆う酸化膜(3)を形成し,該酸化膜(3)上に少なくとも該チャネル(6a)が形成されるべき領域を覆う不純物が添加されたポリシリコン層(4)を堆積し,該ポリシリコン層(4)を覆う該不純物の外方拡散防止膜(5)を堆積し,水素ガス又は水素の混合ガス中でする拡散熱処理により,該ポリシリコン層(4)中の該不純物を該酸化膜(3)を透過して該基板(1)表面に拡散させ該不純物領域(6)を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

FI (2)：

H01L 29/78 301 H ,  H01L 29/78 301 G