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J-GLOBAL ID：200903090204382640
薄膜多結晶シリコン光電変換装置及びその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
柳野 隆生
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993234467
Publication number (International publication number)：1995094766
Application date： Sep. 21, 1993
Publication date： Apr. 07, 1995
Summary：
【要約】【目的】結晶系光電変換装置、その中でも特に太陽電池における諸問題を解決し、大面積化と低コスト化が可能な薄膜多結晶シリコン光電変換装置とその製造方法を提供するものである。【構成】光電変換装置については、透光性基板上に一導電型の多結晶シリコン薄膜と逆導電型の多結晶シリコン薄膜とを順次形成して透光性基板側を光の入射側としたものであり、透光性基板上に非単結晶シリコン薄膜をレーザーアニールすることによって一導電型の多結晶シリコン薄膜を得る工程と、前記一導電型の多結晶シリコン薄膜上に、気相成長または固相成長によって逆導電型の多結晶シリコン薄膜を得る工程とを用いてこの光電変換装置を作製するものである。
Claim (excerpt)：
透光性基板上に一導電型の多結晶シリコン薄膜と逆導電型の多結晶シリコン薄膜とを順次形成するとともに、少なくとも前記一導電型の多結晶シリコン薄膜の面方位が(100)、(111)、(110)のいずれかに配向している薄膜多結晶シリコン光電変換装置。
Patent cited by the Patent：
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