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J-GLOBAL ID：200903090211979024
半導体装置の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993326666
Publication number (International publication number)：1995183510
Application date： Dec. 24, 1993
Publication date： Jul. 21, 1995
Summary：
【要約】【目的】P型ポリシリコンゲートを有する半導体装置の製造方法において、ゲートバイアス試験における特性変動が起きるのを防ぐ。【構成】特性変動の要因となる、ゲート酸化膜中の水素を減少させるため、フッ素の導入を行う。この際、フッ素によるP型不純物の増速拡散を防ぐため、図1に示す様にソース形成以降に700°C〜800°Cで導入する。
Claim (excerpt)：
ゲートポリシリコンがP型であるPチャネル絶縁型電界効果トランジスタにおいてP型ゲートポリシリコンの形成以降にゲートポリシリコン中にフッ素の導入を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 29/78 301 G
, H01L 21/265 P
