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J-GLOBAL ID：200903090213339723

プログラム化磁気メモリ装置

Inventor： フィリップス,ギャヴィン エヌ ,  レンセン,カルス-ミヒール ハー
Applicant, Patent owner： コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ
Agent (3)： 伊東 忠彦 ,  大貫 進介 ,  伊東 忠重
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2005500072
Publication number (International publication number)：2006502594
Application date： Sep. 30, 2003
Publication date： Jan. 19, 2006
Summary：

メモリ装置は、ビット配置部(31)の配列において電磁材料の磁化状態にデータビットを保管する情報面(32)を有する。さらに装置は、電磁センサ素子(51)の配列を有し、この配列は、ビット配置部と位置が揃えられている。情報面(32)は、プログラム化することが可能であり、または別個の記録装置(21)を介してプログラム化される。記録装置は、少なくとも1の放射線(26)を提供し、ビット配置部において電磁材料がプログラム化温度まで加熱される。ビット配置部の磁化状態は、選択されたビット配置部の放射線による前記加熱の間に、磁場を印加することによってプログラム化される。従ってメモリ装置は、磁気再生専用メモリ(MROM)を提供し、これは専用の記録装置でなければ(再)プログラム化することはできない。

Claim (excerpt)：

ビット配置配列を構成する電磁材料を有する情報面と、ビット配置部でビット配置部の値を表現する前記材料の磁化状態と、前記ビット配置部に揃えて配置された電磁センサ素子配列と、を有するメモリ装置であって、前記材料の前記磁化状態は、プログラム化することが可能であり、あるいは少なくとも1の放射線を提供する別個の記録装置を用いて、前記電磁材料を前記ビット配置部でプログラム化温度まで加熱することにより、プログラム化されることを特徴とするメモリ装置。

IPC (5)：

H01L 27/105 ,  H01L 21/824 ,  G11C 11/15 ,  H01L 27/10 ,  H01L 43/08

FI (4)：

H01L27/10 447 ,  G11C11/15 140 ,  H01L27/10 431 ,  H01L43/08 Z

F-Term (4)：

5F083CR17 ,  5F083CR20 ,  5F083FZ10 ,  5F083JA60