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J-GLOBAL ID：200903090226240220

薄膜トランジスタ及びその製造方法

Inventor： 阿高 三郎 ,  折付 良二 ,  堀井 寿一 ,  村松 文雄 ,  竹田 智彦 ,  亀田 賢治
Applicant, Patent owner： 国際電気株式会社 ,  株式会社日立製作所
Agent (1)： 三好 祥二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993182023
Publication number (International publication number)：1995135319
Application date： Jun. 28, 1993
Publication date： May. 23, 1995
Summary：

【要約】【目的】薄膜トランジスタに於いて成膜速度増大を図りつつ特性の劣化を防止する。【構成】薄膜トランジスタに於いて、活性層であるアモルファスシリコン層が低速生成膜9と高速生成膜4を含み、ゲート絶縁膜との界面特性を改善し、膜生成速度を増大させつつ薄膜トランジスタ特性の劣化を防止する。

Claim (excerpt)：

活性層であるアモルファスシリコン層が低速生成膜と高速生成膜を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (2)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (2)：

H01L 29/78 311 H ,  H01L 29/78 311 Y