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J-GLOBAL ID：200903090226476401

プラズマ処理用ガス導入装置およびプラズマ処理方法

Inventor： 柏原 義之
Applicant, Patent owner： 住友金属工業株式会社
Agent (1)： 穂上 照忠 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000247483
Publication number (International publication number)：2002064084
Application date： Aug. 17, 2000
Publication date： Feb. 28, 2002
Summary：

【要約】【課題】基板のエッチング処理または基板への薄膜形成の際に、基板面内の処理速度を均一化することができるプラズマ処理用のガス導入装置およびプラズマ処理方法の提供。【解決手段】ガス導入装置の上部電極2に、開口部8が基板支持台に対面し隔壁8で隔てられた少なくとも2系統のガス導入系が設けられ、それぞれの導入系は、開口部が基板支持台の中心部に対応する位置から放射状に配置された複数の開口部列で構成されており、かつ少なくとも一方のガス導入系の開口部列は、開口部の面積が中心部から外側に向けて増加しているガス導入装置およびこのガス導入装置を用いるプラズマ処理方法。

Claim (excerpt)：

開口部が基板支持台に対面する少なくとも2系統のガス導入系を備え、それぞれの導入系は、開口部が基板支持台の中心部に対応する位置から放射状に配置された複数の開口部列で構成されており、かつ少なくとも一方のガス導入系の開口部列は、開口部の面積が中心部から外側に向けて増加しているとともに、それぞれのガス導入系は、ガス流量および/またはガス組成の調整手段を備えることを特徴とするプラズマ処理用ガス導入装置。

IPC (4)：

H01L 21/3065 ,  C23C 16/455 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205

FI (4)：

C23C 16/455 ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 B

F-Term (44)：

4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA16 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA04 ,  4K030EA05 ,  4K030EA06 ,  4K030FA01 ,  4K030KA17 ,  4K030KA30 ,  4K057DA16 ,  4K057DB06 ,  4K057DD01 ,  4K057DE06 ,  4K057DE07 ,  4K057DE08 ,  4K057DE14 ,  4K057DM03 ,  4K057DM06 ,  4K057DM37 ,  4K057DN01 ,  5F004AA01 ,  5F004BA09 ,  5F004BB11 ,  5F004BB13 ,  5F004BB18 ,  5F004BB28 ,  5F004BC08 ,  5F004DA01 ,  5F004DA02 ,  5F004DA15 ,  5F004DA22 ,  5F004DB01 ,  5F045AA08 ,  5F045AC01 ,  5F045AC05 ,  5F045AC17 ,  5F045BB02 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EF05 ,  5F045EH05 ,  5F045EH14