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J-GLOBAL ID：200903090230146378

メモリ構造

Inventor： ピーター・フリッケ ,  アンドリュー・コール ,  アンドリュー・エル・ヴァン・ブロックリン
Applicant, Patent owner： ヒューレット-パッカード デベロップメント カンパニー エル.ピー.
Agent (3)： 古谷 聡 ,  溝部 孝彦 ,  西山 清春
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003172894
Publication number (International publication number)：2004031953
Application date： Jun. 18, 2003
Publication date： Jan. 29, 2004
Summary：

【課題】低コストで大容量の記憶機構を達成するメモリ構造を提供する。【解決手段】本発明のメモリ構造は、制御素子電極(35)と、ヒータ電極(39)と、メモリ素子電極(33)と、メモリ素子電極とヒータ電極の間に配置されているカルコゲナイド系メモリ素子(23)と、ヒータ電極と制御素子電極の間に配置されている制御素子(25)とからなることを特徴とする。【選択図】 図3

Claim (excerpt)：

制御素子電極(35)と、 ヒータ電極(39)と メモリ素子電極(33)と、 前記メモリ素子電極と前記ヒータ電極の間に配置されているカルコゲナイド系メモリ素子(23)と、 前記ヒータ電極と前記制御素子電極の間に配置されている制御素子(25)とからなるメモリ構造。

IPC (1)：

H01L27/10

FI (1)：

H01L27/10 421

F-Term (7)：

5F083CR15 ,  5F083JA33 ,  5F083JA39 ,  5F083JA60 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05 ,  5F083ZA23