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J-GLOBAL ID：200903090232833569

薄膜熱電変換素子及びそれを用いた半導体デバイス及びそれを用いたプリント基板

Inventor： 山嵜 一郎
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 佐野 静夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997105557
Publication number (International publication number)：1998303469
Application date： Apr. 23, 1997
Publication date： Nov. 13, 1998
Summary：

【要約】【課題】 本発明は、低温端と高温端との温度差を有効に取ることができる、熱電薄膜を用いた薄膜熱電素子を提供することを目的とする。【解決手段】 基板2上に設けられた複数の凸部3の表面に形成されたP型熱電薄膜4とN型熱電薄膜5とが互いに隣合うよう接合されており、その接合部6a,6bは前記基板2における凸部3の頂部及び前記凸部3の狭間に設けられている。

Claim (excerpt)：

基板上に設けられた複数の凸部の表面に形成されたP型熱電薄膜とN型熱電薄膜とが互いに隣合うよう接合されており、その接合部は前記基板における凸部の頂部及び前記凸部の狭間に設けられていることを特徴とする薄膜熱電変換素子。