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J-GLOBAL ID：200903090244289996

プラズマ処理装置

Inventor： 鮫島 俊之 ,  原 昌輝 ,  佐野 直樹 ,  碓井 節夫
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 小池 晃 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991196097
Publication number (International publication number)：1993021393
Application date： Jul. 11, 1991
Publication date： Jan. 29, 1993
Summary：

【要約】【目的】 プラズマCVDやプラズマエッチングにおいて、大面積での成膜やエッチングを可能とし、同時にプラズマのダメージを低減する。【構成】 プラズマ発生室22と基板処理室21の境界に複数の孔4を配列させてメッシュプレート1を置く。このメッシュプレート1は上部電極11との間に与えられる高周波電界によりプラズマを発生させる。このメッシュプレート1によって、発生したプラズマは各孔4に分散することになり、同時に基板処理室21の底部にまで引き出されなくなる。ガス供給口2が各孔4の近傍に臨むことから、孔4の近傍で反応がなされることになり、その結果、プラズマのダメージが低減され、大面積で均一な処理が行われる。

Claim (excerpt)：

プラズマ発生室と基板処理室の間に複数の孔が設けられたプラズマ分離用のメッシュプレートを有し、該メッシュプレートの孔の近傍にガス供給口が設けられることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (3)：

H01L 21/302 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/31

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭53-091664
  
• 特開昭61-272386
  
• 特開昭60-160620
  
• 特開昭62-174382