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J-GLOBAL ID：200903090246279254
半導体装置の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
林 敬之助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991211054
Publication number (International publication number)：1993055244
Application date： Aug. 22, 1991
Publication date： Mar. 05, 1993
Summary：
【要約】【目的】 LDD構造をしたNチャネルMOSトランジスタのソース、ドレイン部の接合破壊電圧を低くすることで、外部より過度の電圧パルスが入った際、ゲート酸化膜が破壊される前にドレイン部の接合破壊で電流を分散することで、半導体装置自体を保護し、半導体装置自体が破壊に至る電圧を向上する。【構成】 LDD構造をしたNチャネルMOSトランジスタのソース、ドレイン部で、N- 部4はリン7を不純物としてゲート電極1の近傍のみに形成され、N+ 部5は砒素6のみの不純物で形成される。よって、N+ 部5とP- 部8との接合破壊電圧を低くすることができ、ドレイン部の接合破壊電圧は低くなる。
Claim (excerpt)：
LDD構造をしたNチャネルMOSトランジスタのソース、ドレイン部内のN+ 部を砒素だけの不純物で形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2)：
H01L 21/336
, H01L 29/784
