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J-GLOBAL ID：200903090246726803

高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法

Inventor： 西 恒寛 ,  金生 剛 ,  長谷川 幸士 ,  渡邊 聡 ,  名倉 茂広
Applicant, Patent owner： 信越化学工業株式会社
Agent (1)： 小島 隆司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001277156
Publication number (International publication number)：2003084438
Application date： Sep. 12, 2001
Publication date： Mar. 19, 2003
Summary：

【要約】【課題】 下記一般式(1)で示される繰り返し単位と下記一般式(2)で示される繰り返し単位とを含むことを特徴とする重量平均分子量1,000〜500,000の高分子化合物。【化1】(式中、R1、R3は水素原子又はメチル基を示す。R2、R4は炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。R5、R6、R7、R8は水素原子又はR5とR7、R6とR8でトリメチレンもしくは1,3-シクロペンチレンを形成する原子団を示す。)【解決手段】 本発明の高分子化合物をベース樹脂としたレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、感度、解像性、エッチング耐性に優れているため、電子線や遠紫外線による微細加工に有用である。特にArFエキシマレーザー、KrFエキシマレーザーの露光波長での吸収が小さいため、微細でしかも基板に対して垂直なパターンを容易に形成することができるという特徴を有する。

Claim (excerpt)：

下記一般式(1)で示される繰り返し単位と下記一般式(2)で示される繰り返し単位とを含むことを特徴とする重量平均分子量1,000〜500,000の高分子化合物。【化1】(式中、R1、R3は水素原子又はメチル基を示す。R2、R4は炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。R5、R6、R7、R8は水素原子又はR5とR7、R6とR8でトリメチレンもしくは1,3-シクロペンチレンを形成する原子団を示す。)

IPC (3)：

G03F 7/039 601 ,  C08F220/18 ,  H01L 21/027

FI (3)：

G03F 7/039 601 ,  C08F220/18 ,  H01L 21/30 502 R

F-Term (25)：

2H025AA02 ,  2H025AA09 ,  2H025AA10 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB08 ,  2H025CB14 ,  2H025CB41 ,  2H025FA17 ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100BA11R ,  4J100BA15R ,  4J100BC08Q ,  4J100BC09P ,  4J100BC58R ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100JA38