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J-GLOBAL ID：200903090248968685

半導体装置とその製造方法及びその実装構造と実装方法

Inventor： 北村 洋一 ,  河嶋 康夫 ,  生田目 雅章 ,  小原 雅信
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 田澤 博昭 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994022767
Publication number (International publication number)：1995235620
Application date： Feb. 21, 1994
Publication date： Sep. 05, 1995
Summary：

【要約】【目的】 高密度実装に適し、しかも信頼性の高い半導体装置とその製造方法及びその実装構造と実装方法を得ることを目的とする。【構成】 一方の主面に複数の第1のバンプ44が形成された半導体素子3と、表面が前記主面と対向配置され、該表面に前記第1のバンプ44に接続される第2のバンプ45が形成され、裏面に第2のバンプ45に接続される第3のバンプ43が形成された薄型基板42と、絶縁性を有し、第3のバンプ43が一主面上に露出するように、半導体素子3及び薄型基板42を封止する封止樹脂7とを備えたことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

電子回路が形成され、一方の主面に該電子回路に電気的に接続される複数の第1のバンプが形成された半導体素子と、表面が前記主面と対向するように配置され、該表面の複数の前記第1のバンプと対向する位置に該第1のバンプに電気的に接続される第2のバンプが形成されるとともに裏面に該第2のバンプに電気的に接続される第3のバンプが形成された薄型基板と、絶縁性を有し、前記第3のバンプが一主面上に露出するように前記半導体素子及び薄型基板を封止する封止樹脂とを備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 23/12 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 23/28 ,  H01L 23/50