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J-GLOBAL ID：200903090262183739

薄膜半導体装置とその製法

Inventor： 入野田 貢 ,  大高 剛一 ,  日野 威 ,  佐藤 幸人
Applicant, Patent owner： 株式会社リコー ,  リコー応用電子研究所株式会社
Agent (1)： 友松 英爾
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991198781
Publication number (International publication number)：1993021342
Application date： Jul. 12, 1991
Publication date： Jan. 29, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明の目的は、帯域溶融再結晶化法により再結晶化された薄膜半導体装置を製造するにあたり、溶融部を固体層との界面のゆらぎ、および溶融部の固化時に発生するビードアップ現象を防止する点にある。【構成】 絶縁性基板上に、再結晶化された半導体薄膜が多数のストライプ状に設けられており、該ストライプとストライプの間隔は50μm以下、該ストライプの幅は300μm以下であることを特徴とする薄膜半導体装置。

Claim (excerpt)：

基板上に、再結晶化された半導体薄膜が多数のストライプ状に設けられており、該ストライプとストライプの間隔は50μm以下、該ストライプの幅は300μm以下であることを特徴とする薄膜半導体装置。

IPC (5)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/208 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/784 ,  H01L 21/268