Pat
J-GLOBAL ID：200903090267021443
半導体レーザ装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
尾身 祐助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993112210
Publication number (International publication number)：1994318763
Application date： Apr. 15, 1993
Publication date： Nov. 15, 1994
Summary：
【要約】【目的】 周波数応答特性の改善と冷却能力の向上。【構成】 電子冷却素子5上に載置された金属ベース3には、半導体レーザ素子1、サーミスタ4および光学系(レンズ18、図示のない光アイソレータ、光ファイバ)のみを搭載し、光出力モニタ素子13は金属ベース3の外側に設けられた端子配線棚部8上に搭載する。伝送線路を構成する信号入力ライン10およびインピーダンス整合用抵抗11は端子配線棚部8上に形成する。【効果】 半導体レーザ素子の配線経路が短くまたボンディングワイヤ数が少なくなったことにより周波数特性が改善され、発熱体であるインピーダンス整合用抵抗が棚部8に移されたことにより冷却能力が向上する。
Claim (excerpt)：
半導体レーザ素子と感熱素子とが電子冷却素子上に載置された金属ベース上に搭載され、前記半導体レーザ素子が信号入力ラインおよびインピーダンス整合素子を介して供給される入力信号によって駆動され、その出力が光出力モニタ素子によってモニタされる半導体レーザ装置において、前記インピーダンス整合素子と前記光出力モニタ素子とは前記電子冷却素子から分離された棚部上に設けられていることを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (2)：
Return to Previous Page
