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J-GLOBAL ID：200903090269952630

光非相反素子

Inventor： 藤井 一宏 ,  藤本 徹也 ,  久村 祐史
Applicant, Patent owner： 宇部興産株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991265452
Publication number (International publication number)：1993080285
Application date： Sep. 18, 1991
Publication date： Apr. 02, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、部品点数が少なく、調整個所の少なく安価で信頼性が高く、アイソレーション比が60dB以上の光アイソレータを構成できる光非相反素子を提供する。【構成】 複屈折結晶よりなる立体の異なる二つ以上の面に、一般式 A3B5 O12(ただし、Aは3価イオンになる希土類元素及び3価イオンになるBiから選ばれる1種以上の元素を表し、Bは3価イオンになる遷移金属、3価イオンになるAl、Ga、Sc及びIn、及び2価-4価又は2価-5価の組合せにより3価になる元素から選ばれる1種以上の元素を表す。)で表されるガーネット型構造の酸化物であり、かつ平均粒子径が30〜1000Åである磁性体微粒子をバインダーに分散させてなる塗布膜を形成してなることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

複屈折結晶よりなる立体の異なる二つ以上の面に、一般式A3 B5 O12(ただし、Aは3価イオンになる希土類元素及び3価イオンになるBiから選ばれる1種以上の元素を表し、Bは3価イオンになる遷移金属、3価イオンになるAl、Ga、Sc及びIn、及び2価-4価又は2価-5価の組合せにより3価になる元素から選ばれる1種以上の元素を表す。)で表されるガーネット型構造の酸化物であり、かつ平均粒子径が30〜1000Åである磁性体微粒子をバインダーに分散させてなる塗布膜を形成してなることを特徴とする光非相反素子。

IPC (2)：

G02F 1/09 501 ,  G02B 27/28