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J-GLOBAL ID：200903090274213900
エチレン系重合体の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
大谷 保
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993245130
Publication number (International publication number)：1995102013
Application date： Sep. 30, 1993
Publication date： Apr. 18, 1995
Summary：
【要約】【目的】 狭い分子量分布を有するエチレン単独重合体や共重合組成が均一であって分子量分布の狭いエチレン-α-オレフィン共重合体を効率よく製造する方法を提供すること。【構成】 (A)一般式【化1】〔式中、各記号は明細書に記載のとおりである。〕で表される遷移金属化合物、(B)該遷移金属化合物又はその派生物と反応してイオン性の錯体を形成しうる化合物、及び場合により(C)有機アルミニウム化合物を含有する重合用触媒の存在下、エチレンの単独重合又はエチレンと炭素数3〜20のα-オレフィンとを共重合させて、エチレン系重合体を製造する方法である。
Claim (excerpt)：
(A)一般式(I)【化1】〔式中、Mは周期律表第3〜10族又はランタノイド系列の金属元素を示し、E1 及びE2 はそれぞれσ結合性又はπ結合性の配位子であって、(A1)p , (A2)p ,・・・(An ) p 及び(D)3 を介して架橋構造を形成しており、またそれらはたがいに同一でも異なっていてもよく、Xはσ結合性の配位子を示し、Xが複数ある場合、複数のXは同じでも異なっていてもよいし、E1 ,E2 又はYと架橋していてもよい。Yはルイス塩基を示し、Yが複数ある場合、複数のYは同じでも異なっていてもよいし、E1 ,E2 又はXと架橋していてもよい。A1,A2 ・・・An はそれぞれR2 Si(Rは水素原子,炭素数1〜20の炭化水素基またはヘテロ原子含有基)で表される架橋基を示し、それらはたがいに同一でも異なっていてもよく、またたがいに結合して架橋を形成していてもよいし、A1,A2,・・・An がそれぞれ複数ある場合、複数のA1,A2,・・・An はそれぞれにおいて同じでも異なっていてもよい。DはC,H,Si,O,N,S又はPから構成される架橋基を示し、Dが複数ある場合、複数のDは同じでも異なっていてもよく、nは2〜4の整数、pは1〜4の整数で、各pは同一でも異なっていてもよい。qは1〜5の整数で〔(Mは原子価)-2〕を示し、rは0〜3の整数、sは0〜4の整数で、sが0の場合、(A1)p , (A2)p , ・・・(An) p とE2 が直接結合を形成する。〕で表される遷移金属化合物、及び(B)該(A)成分の遷移金属化合物又はその派生物と反応してイオン性の錯体を形成しうる化合物を含有する重合用触媒の存在下、エチレンを単独重合又はエチレンと炭素数3〜20のα-オレフィンとを共重合させることを特徴とするエチレン系重合体の製造方法。
IPC (3)：
C08F 4/642 MFG
, C08F 4/656
, C08F 10/00
Cited by applicant (1)
Cited by examiner (2)
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