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J-GLOBAL ID：200903090275942027

半導体装置及びその試験方法

Inventor： 山中 英篤 ,  吉田 尊
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 堀口 浩
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006263309
Publication number (International publication number)：2008082888
Application date： Sep. 27, 2006
Publication date： Apr. 10, 2008
Summary：

【課題】 特性確認回路のデータにもとづいて、システムレベルやボードレベルで半導体集積回路の動作条件を変更する。【解決手段】 プロセッサとしての半導体集積回路1には、テストモードコントローラ11、LBIST12、ヒューズ情報部13、比較回路14、及び比較結果出力部15が設けられている。LBIST12、ヒューズ情報部13及び比較回路14は、半導体集積回路1の特性確認回路として機能し、システムボードレベルで半導体集積回路1の動作電圧を可変モニタし、所定の動作周波数を満足させる動作電圧を算出し、動作電圧を変更できる。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

半導体集積回路をスキャンテストするLBISTと、 前記半導体集積回路のcritical path attack seed値及びそのseed値に対するMISR期待値を記憶する記憶媒体と、 前記critical path attack seed値にもとづいて前記LBISTでスキャンテストされ、前記LBISTから出力されるMISR出力値と前記MISR期待値を比較演算する比較回路と、 を具備し、前記MISR出力値が前記MISR期待値と一致する場合には前記半導体集積回路の動作環境でのfunctionをpassと判定し、前記MISR出力値が前記MISR期待値と一致しない場合には前記半導体集積回路の動作環境でのfunctionをfailと判定することを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

G01R 31/28 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04

FI (2)：

G01R31/28 G ,  H01L27/04 T

F-Term (21)：

2G132AA01 ,  2G132AB01 ,  2G132AC05 ,  2G132AC14 ,  2G132AD06 ,  2G132AD07 ,  2G132AG01 ,  2G132AH07 ,  2G132AK08 ,  2G132AK13 ,  2G132AK29 ,  5F038BG06 ,  5F038CD09 ,  5F038DF04 ,  5F038DT06 ,  5F038DT07 ,  5F038DT08 ,  5F038DT12 ,  5F038DT13 ,  5F038DT17 ,  5F038EZ20

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 半導体集積回路
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-271973   Applicant：富士通株式会社