Pat
J-GLOBAL ID：200903090280156676
シリコンウェーハとその製造方法および品質評価方法
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
,
Agent (1)：
八田 幹雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994002826
Publication number (International publication number)：1995206591
Application date： Jan. 14, 1994
Publication date： Aug. 08, 1995
Summary：
【要約】【目的】 集積度の高い高集積回路を高い歩留りで製造するために好適なシリコンウェーハを提供することを目的とする。【構成】 CZ法によってシリコン単結晶が引き上げられ、この単結晶をスライシング、ラッピング、エッチングした後、鏡面研磨して作製するシリコンウェーハにおいて、凝固後のシリコン単結晶の冷却速度をコントロールすることにより、アンモニア系洗浄したときに表面にできるエッチピットのサイズ分布が、(0.13μm以上のピット総数)/(0.11μm以上のピット総数)>0.3を満たすようにする。
Claim (excerpt)：
チョクラルスキー法によってシリコン単結晶が引き上げられ、この単結晶をスライシング、ラッピング、エッチングした後、鏡面研磨して作成するシリコンウェーハにおいて、上記シリコンウェーハをアンモニア系洗浄したとき、シリコンウェーハの表面にできるエッチピットのサイズ分布が、(0.13μm以上のピット総数)/(0.11μm以上のピット総数)>0.3を満たすことを特徴とするシリコンウェーハ。
IPC (5)：
C30B 29/06
, C30B 29/06 502
, C30B 15/00
, H01L 21/66
, C30B 15/14
Cited by applicant (2)
Cited by examiner (2)
Return to Previous Page
