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J-GLOBAL ID:200903090296393163
太陽電池の製造方法およびその方法により製造される太陽電池
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
深見 久郎
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001375570
Publication number (International publication number):2003179239
Application date: Dec. 10, 2001
Publication date: Jun. 27, 2003
Summary:
【要約】【課題】 パッシベーション効果および反射防止効果が優れる太陽電池の製造方法を提供する。また、パッシベーション膜や反射防止膜を低い温度で形成し、安価に製造することができる太陽電池の製造方法を提供する。さらに、簡略な工程で生産効率が高く、塗料を有効に利用できる太陽電池の製造方法を提供する。【解決手段】 本発明の太陽電池の製造方法は、導電型のシリコン基板の表層にシリコン基板と異なる導電型の不純物拡散領域を形成し、不純物拡散領域上にシリコン酸化物膜を形成することを特徴とする。本発明の他の太陽電池の製造方法は、シリコン酸化物膜上に少なくとも一層の反射防止膜を形成することを特徴とする。
Claim (excerpt):
導電型のシリコン基板の表層に該シリコン基板と異なる導電型の不純物拡散領域を形成する太陽電池の製造方法において、前記不純物拡散領域上にシリコン化合物を含む塗料を塗布した後、乾燥し、焼成してシリコン酸化物膜を形成する工程を含むことを特徴とする太陽電池の製造方法。
F-Term (7):
5F051AA02
, 5F051CB13
, 5F051CB20
, 5F051CB24
, 5F051DA03
, 5F051HA03
, 5F051HA20
Patent cited by the Patent: