ペルチエクーラおよび半導体レーザモジュール

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山内梅雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995054004
Publication number (International publication number)：1996250796
Application date： Mar. 14, 1995
Publication date： Sep. 27, 1996
Summary：

【要約】【目的】構造が簡単でしかも光学系を長期にわたって安定化させその信頼性を確保することのできるペルチエクーラを得ること。【構成】ペルチエクーラ31は、複数のペルチエ素子41と、これらを直列に接続するためにこれらの両側に配置された金属電極42、43と、これらの金属電極を外側から挟持するようにそれぞれ配置された第1および第2のセラミック基板44、45と、これらを更に外側から挟持するようにこれらとそれぞれロー付けにより固定された第1および第2の金属基板46、47とで構成されている。金属基板46、47は半導体レーザのモジュールパッケージや光学部品を配置した基板とYAGレーザによって溶接可能であり、ロー付けによる固定と併せて、クリープの原因となる低温はんだの使用を排除している。

Claim (excerpt)：

複数のペルチエ素子と、これらのペルチエ素子を直列に接続するためにこれらの両側に配置された金属電極と、これらの金属電極を外側から挟持するようにそれぞれ配置された第1および第2のセラミック基板と、これら第1および第2のセラミック基板を更に外側から挟持するようにこれらとそれぞれロー付けにより固定された第1および第2の金属基板とを具備することを特徴とするペルチエクーラ。

IPC (5)：

H01S 3/133 , F25B 21/02 , G02B 6/32 , G02B 6/42 , H01S 3/18

FI (5)：

H01S 3/133 , F25B 21/02 B , G02B 6/32 , G02B 6/42 , H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

温度制御装置を具えた半導体レーザ装置とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-066541 Applicant：富士通株式会社
特開平4-332186
特開昭62-276892

Show all

Return to Previous Page