絶縁膜の製造方法および製造装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山口巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992024173
Publication number (International publication number)：1993226327
Application date： Feb. 12, 1992
Publication date： Sep. 03, 1993
Summary：

【要約】【目的】基板上の凹凸面に良質の絶縁膜を平坦に形成するための簡略な絶縁膜製造方法を提供する。【構成】ECRプラズマCVD装置を用い、絶縁膜の原料ガスにArガスを添加しての成膜工程のみ、原料ガスのみによる成膜工程とArガスを添加しての成膜工程との両成膜工程のみ、原料ガスのみによる成膜工程とArガスによるスパッタリング工程との両工程、原料ガスのみによる成膜工程とArガスを添加しての成膜工程とArガスによるスパッタリング工程との組合わせ、のいずれかの方法により膜を平坦に形成する。各工程中、ガス圧力、形成するカスプ磁場のカスプ面位置、各ガスの流量もしくは流量比、基板温度等の装置条件を特定の範囲内に保ち、特に膜の残留応力とアニール前後の応力変動量とを低減させる。

Claim (excerpt)：

一方の端面にマイクロ波透過窓を有し、導入されたガスをプラズマ化する軸対称のプラズマ生成室と、プラズマ生成室の他方の端面側でプラズマ生成室と連通する反応室と、反応室内に位置して高周波電力の印加可能な基板台と、プラズマ生成室と同軸に配設されプラズマ生成室内に電子サイクロトロン共鳴磁場領域を形成する主コイルと、基板台の反主コイル側に主コイルと同軸に配され基板近傍にカスプ磁界を形成可能な補助コイルとを備えているECRプラズマCVD装置を用い、基板上に形成されるべき絶縁膜の成分元素の1つを有するプラズマ生成ガスとArガスとをプラズマ生成室に導入するとともに絶縁膜成分元素の残りの元素を有する反応ガスを反応室に導入して成膜することにより、基板上に絶縁膜を平坦に形成することを特徴とする絶縁膜の製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/316 , C23C 16/50 , H01L 21/205 , H01L 21/31 , H01L 21/90

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平3-280539
特開平3-024268
特開平2-277238

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