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J-GLOBAL ID：200903090322695483

半導体基板の製造方法および半導体装置の製造方法

Inventor： 船井 尚 ,  牧田 直樹 ,  山元 良高
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994144967
Publication number (International publication number)：1996017741
Application date： Jun. 27, 1994
Publication date： Jan. 19, 1996
Summary：

【要約】【目的】 結晶性シリコン膜中に含まれる触媒元素の濃度を低減して、良好な電気特性を有するようにする。【構成】 絶縁性基板上に形成された非晶質半導体膜に結晶化を助長する触媒元素を導入して基板全体を加熱することにより、低温および短時間で非晶質半導体膜を結晶化させる。次に、結晶化された半導体膜表面を酸化して半導体膜中に含まれる触媒元素濃度を低下させる。その後、半導体膜に高エネルギー光を照射して結晶粒界の処理を行う。

Claim (excerpt)：

絶縁性基板もしくは表面に絶縁膜が堆積された基板上に、結晶性を有する半導体膜が形成された半導体基板の製造方法であって、基板上に少なくとも非晶質半導体膜を形成する工程と、該非晶質半導体膜の結晶化を助長する触媒元素を、該非晶質半導体膜に導入する工程と、該基板全体を加熱することにより非晶質半導体膜を結晶化させる工程と、結晶化された半導体膜表面を酸化する工程と、酸化された半導体膜に高エネルギー光を照射する工程とを含む半導体基板の製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/205 ,  F27D 7/06 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/322 ,  H01L 21/324