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J-GLOBAL ID：200903090347311876
半導体装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
國分 孝悦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991244666
Publication number (International publication number)：1993063023
Application date： Aug. 29, 1991
Publication date： Mar. 12, 1993
Summary：
【要約】【目的】 半導体装置の金属配線をCu又はCu合金で構成した場合、ワイヤボンディングの際に、その金属配線とボンディングワイヤとの間の接着性を改善する。【構成】 Cu又はCu合金で構成した金属配線13のうちのボンディングパッド部上にAl膜14を形成し、このAl膜14を介してAu線17をボンディングする。
Claim (excerpt)：
半導体装置の金属配線を銅又は銅合金で構成し、この金属配線の外部引出し用の電極部の上にのみアルミニウム膜を形成したことを特徴とする半導体装置。
IPC (2)：
H01L 21/60 301
, H01L 21/3205
