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J-GLOBAL ID:200903090358748249

正電源

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 深見 久郎 (外3名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993262494
Publication number (International publication number):1994259979
Application date: Oct. 20, 1993
Publication date: Sep. 16, 1994
Summary:
【要約】【目的】 プログラミングの間に、調整された正電位を生成しかつそれをフラッシュEEPROMメモリセルのアレイのワードラインを通して選択されたメモリセルのコントロールゲートに与えるための正電源を提供する。【構成】 正電源は、1対の非重複クロック信号を生成するクロック回路(18b)と外部電源電位(VCC)および非重複クロック信号に応答し高い正電圧を生成するためのチャージポンプ手段(18c)とを含む。調整器回路(20)は高い正電圧および与えられた基準電圧に応答し、外部電源電位(VCC)と独立した調整された正電位を生成する。
Claim (excerpt):
プログラミングの間に、調整された正電位を生成しかつそれをフラッシュEEPROMメモリセルのアレイのワードラインを通して、選択されたメモリセルのコントロールゲートに与えるための正電源であって、1対の非重複クロック信号を生成するためのクロック手段(18b)と、外部電源電圧(VCC)および前記非重複クロック信号に応答して高い正電圧を生成するためのチャージポンプ手段(18c)と、前記高い正電圧および基準電位に応答して前記チャージポンプ手段が前記高い正電圧を増加させることが可能なようにローレベルであるか、または前記正電圧を減じるようにハイレベルであるかのいずれかである正のコンパレータ信号を生成し、かつ電源電位(VCC)と独立した前記調整された正電位を生成するための調整手段(20)とを含む、正電源。
IPC (3):
G11C 16/06 ,  H02M 3/07 ,  H03K 19/096
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
  • 特開平2-260299
  • 特開平4-132088
  • 特開昭64-023499
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