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J-GLOBAL ID：200903090360851634

フォトマスクブランクおよびフォトマスクの製造方法

Inventor： 田中 啓司 ,  西山 泰史 ,  福原 信彦 ,  対比地 武博
Applicant, Patent owner： 凸版印刷株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992287527
Publication number (International publication number)：1994138650
Application date： Oct. 26, 1992
Publication date： May. 20, 1994
Summary：

【要約】【目的】ドライエッチング耐性が不充分ではあるものの高感度な性能を有するポジ型電子線レジストを用いてドライエッチング法を施し、生産性が高く安定し且つ高品質でもあるフォトマスクを得るためのフォトマスクブランクおよびフォトマスクの製造方法を提供する。【構成】遮光膜がクロム(Cr)とケイ素(Si)とを共に含み主成分とする膜であり、低反射膜はクロム酸化物あるいはクロム窒素酸化物からなる膜であるフォトマスクブランクと、そして、四塩化炭素と酸素との混合ガス、またはジクロロメタンと酸素との混合ガス、を用いて該低反射膜に選択的にドライエッチング法を施した後、形成された低反射膜パターンをマスクとして酸素ガスを用いて該遮光膜に選択的にドライエッチング法を施すことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

透光性基板上に少なくとも遮光膜と低反射膜とがこの順序で設けてあるフォトマスクブランクにおいて、該遮光膜がクロムとケイ素とを共に含み主成分とする膜であり、一方、該低反射膜はクロム酸化物あるいはクロム窒素酸化物からなる膜であることを特徴とするフォトマスクブランク。

IPC (2)：

G03F 1/14 ,  H01L 21/027