半導体発光素子

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：杉村興作 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001001149
Publication number (International publication number)：2002208731
Application date： Jan. 09, 2001
Publication date： Jul. 26, 2002
Summary：

【要約】【課題】白色LEDとして好適に使用することが可能な新規な半導体発光素子を提供する。【解決手段】半導体発光素子10を構成する下地層2を、X線ロッキングカーブにおける半値幅が90秒以下の高結晶AlN層から構成する。そして、この下地層2内に所定の希土類元素を含有させる。この希土類元素は、発光層5で生成された光によって励起され、前記希土類元素に固有の波長の光を発する。

Claim (excerpt)：

基板と、この基板上に形成されたX線ロッキングカーブにおける半値幅が90秒以下の少なくともAlを含む第1の窒化物半導体からなる下地層と、この下地層上に形成された、少なくとも一種の希土類元素を添加元素として含有し、Al、Ga、及びInの少なくとも一つを含む第2の窒化物半導体からなる発光層と、この発光層上において、ショットキー電極から構成される第1の電極及びショットキー電極又はオーミック電極から構成される第2の電極とを具えることを特徴とする、半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 , C23C 16/34

FI (2)：

H01L 33/00 C , C23C 16/34

F-Term (17)：

4K030AA11 , 4K030BA02 , 4K030BA38 , 4K030BB01 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030JA10 , 4K030LA18 , 5F041AA03 , 5F041AA11 , 5F041AA44 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F041CA66 , 5F041CA88 , 5F041FF11

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

3-5族化合物半導体の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-307283 Applicant：住友化学工業株式会社
半導体発光素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-217875 Applicant：株式会社東芝
半導体素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-030652 Applicant：日本電信電話株式会社

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