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J-GLOBAL ID:200903090364571334

圧電/電歪デバイス及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 千葉 剛宏 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000067781
Publication number (International publication number):2001315099
Application date: Mar. 10, 2000
Publication date: Nov. 13, 2001
Summary:
【要約】【課題】デバイスの軽量化、中でも可動部又は固定部の軽量化及び可動部の変位の増大化と高速化(高共振周波数化)を達成させると共に、デバイスのハンドリング性並びに可動部への部品の取付性又はデバイスの固定性を向上させる。【解決手段】相対向する一対の薄板部16a及び16bと、可動部20と、これら薄板部16a及び16bと可動部20を支持する固定部22を具備し、一対の薄板部16a及び16bのうち、少なくとも1つの薄板部16a及び16bに圧電/電歪素子24a及び24bが配設され、一対の薄板部16a及び16bの両内壁と可動部20の内壁20aと固定部22の内壁22aとにより孔部12が形成された圧電/電歪デバイス10において、可動部20の中央部分を切除して可動部20に互いに対向する端面36a及び36bを形成する。
Claim (excerpt):
相対向する一対の薄板部と、可動部と、これら薄板部と可動部を支持する固定部とを具備し、前記一対の薄板部のうち、少なくとも1つの薄板部に1以上の圧電/電歪素子が配設され、前記一対の薄板部の両内壁と前記可動部の内壁と前記固定部の内壁とにより孔部が形成された圧電/電歪デバイスであって、前記可動部又は固定部のいずれか一方は、互いに対向する端面を有することを特徴とする圧電/電歪デバイス。
IPC (4):
B81B 3/00 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/08 ,  H01L 41/22
FI (4):
B81B 3/00 ,  H01L 41/08 J ,  H01L 41/08 Z ,  H01L 41/22 Z
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)

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