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J-GLOBAL ID：200903090376035586

メモリ素子

Inventor： 櫻井 敦
Applicant, Patent owner： 株式会社村田製作所
Agent (1)： 中野 雅房
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997094799
Publication number (International publication number)：1998275896
Application date： Mar. 28, 1997
Publication date： Oct. 13, 1998
Summary：

【要約】【課題】 シリコン基板の上にPZT単結晶薄膜のような強誘電体単結晶薄膜を形成できるようにする。【解決手段】 酸化膜を除去したSi単結晶基板12の上に蒸着法によりPtを成膜することにより、Si単結晶基板12の表面にエピタキシャルPtシリサイド薄膜13を形成する。ついで、デュアルイオンビームスパッタリング(DIBS)装置により、エピタキシャルPtシリサイド薄膜13の上にエピタキシャルてエピタキシャルPt薄膜14の上にエピタキシャルPZT薄膜15を成膜する。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、前記半導体基板の表面にエピタキシャル成長させられた、前記半導体基板を構成する半導体材料と同じ材料と金属材料との半導体合金膜と、前記半導体合金膜の表面に設けられたエピタキシャル金属膜と、当該エピタキシャル金属膜の表面に設けられた強誘電体単結晶薄膜とからなるメモリ素子。