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J-GLOBAL ID：200903090389691067

半導体発光装置

Inventor：
小林 祐二

About 小林 祐二


Applicant, Patent owner：
松下電子工業株式会社

About 松下電子工業株式会社


Agent (1)： 滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998169660
Publication number (International publication number)：2000012898
Application date： Jun. 17, 1998
Publication date： Jan. 14, 2000
Summary：
【要約】【課題】 発光素子及び静電気保護素子のバンプによる接合形態の改良により製品歩留り、配光性及び発光輝度を向上し得る半導体発光装置を提供する。【解決手段】 静電気保護素子としてのツェナーダイオード2をリードフレーム10のマウント部10aに搭載し、フリップチップ型の半導体発光素子1を上面にp側及びn側の電極を導通させて搭載し、半導体発光素子1の搭載面側と反対側を主光取出し面とした半導体発光装置において、発光素子1とツェナーダイオード2のそれぞれに、両者間を相互に逆極性で導通させるp側とn側のバンプのいずれかを振り分けて形成し、発光素子1とツェナーダイオード2にバンプを1個ずつ振り分けることで製品の不良率を低下させる。
Claim (excerpt)：
静電気保護素子をリードフレームまたは基板等の基材の搭載面に搭載し、フリップチップ型の半導体発光素子を前記静電気保護素子の上面にp側及びn側の電極を導通させて搭載し、前記半導体発光素子の搭載面側と反対側を主光取出し面とした半導体発光装置において、前記発光素子と静電気保護素子のそれぞれに、両者間を相互に逆極性で導通させるp側とn側のバンプのいずれかを振り分けて形成してなる半導体発光装置。
IPC (2)：
H01L 33/00 ,  H01S 5/30
FI (2)：
H01L 33/00 C ,  H01S 3/18
F-Term (11)：
5F041AA23 ,  5F041CA91 ,  5F041CA93 ,  5F041DA04 ,  5F041DA09 ,  5F041DA18 ,  5F041DA26 ,  5F041DA83 ,  5F073CB23 ,  5F073FA13 ,  5F073GA32
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (10)
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