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J-GLOBAL ID：200903090401605422

炭素質材料の製造方法及び製造装置

Inventor： 梶浦 尚志 ,  宮腰 光史 ,  筒井 栄光 ,  平野 英孝
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 北澤 一浩 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001056327
Publication number (International publication number)：2002255521
Application date： Mar. 01, 2001
Publication date： Sep. 11, 2002
Summary：

【要約】【課題】 低コストで炭素質材料を製造することができる炭素質材料の製造方法及び製造装置の提供。【解決手段】 炭素質材料の製造装置1は、反応管11、ガス供給部を有し、反応管11内には、アーク放電部を規定するアノード13、カソード14が設けられている。アノード13、カソード14はカーボンのみからなる純粋炭素電極であり、ガス供給部は、反応管11内に有機ガスと触媒ガスとを選択的に供給可能に構成されている。炭素質材料の製造方法では、カーボン塊をアノード13、カソード14の形状に成形する。次に、アーク放電部においてアーク放電を発生させ、アーク放電部に有機ガスと触媒ガスとの混合ガスを反応管11内に供給し、アーク放電部で触媒作用により有機ガスを原料として炭素質材料が生成される。

Claim (excerpt)：

炭素質材料生成室を画成する反応管内に、炭素系材料で構成されたアノードと、該アノードと対向し該アノードとの間でアーク放電部を規定する炭素系材料で構成されたカソードとを配置し、該アノード及びカソード間に電圧を供給してアーク放電がなされ、該アーク放電部で炭素質材料が生成される炭素質材料の製造方法において、アーク放電の際に、該アーク放電部に向って触媒を含有したガスを供給することを特徴とする炭素質材料の製造方法。

IPC (5)：

C01B 31/02 101 ,  C01B 31/02 ,  B01J 19/08 ,  B01J 31/12 ,  B82B 3/00

FI (5)：

C01B 31/02 101 F ,  C01B 31/02 101 Z ,  B01J 19/08 C ,  B01J 31/12 M ,  B82B 3/00

F-Term (21)：

4G046CA01 ,  4G046CA02 ,  4G046CB01 ,  4G046CC08 ,  4G046CC09 ,  4G046CC10 ,  4G069AA06 ,  4G069BA27B ,  4G069BC66B ,  4G069BC67B ,  4G069BC68B ,  4G069CD10 ,  4G069DA01 ,  4G075AA23 ,  4G075AA62 ,  4G075BB02 ,  4G075BD14 ,  4G075CA17 ,  4G075CA54 ,  4G075CA57 ,  4G075CA63