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J-GLOBAL ID：200903090417074176

薄膜トランジスタおよびその作製方法

Inventor： 張 宏勇 ,  高山 徹 ,  竹村 保彦
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993078998
Publication number (International publication number)：1994267979
Application date： Mar. 12, 1993
Publication date： Sep. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 信頼性と特性に優れた結晶性シリコンの活性層を有する薄膜トランジスタ(TFT)および、そのようなTFTを安価に製造する方法を提供する。【構成】 アモルファスシリコン膜を結晶化させて、これにゲイト絶縁膜、ゲイト電極を形成し、自己整合的に不純物を注入した後、結晶化を促進する触媒元素を有する被膜を不純物領域に密着させるか、あるいは触媒元素をイオン注入等の手段で不純物領域に導入し,しかる後に、基板の歪み温度よりも低い温度でアニールしてドーピング不純物の活性化をおこなう。

Claim (excerpt)：

基板上に形成された結晶性シリコン膜の活性領域を有し、そのソース/ドレイン領域には、1×1017cm-3を越えるの濃度の触媒元素を有し、前記活性領域での触媒元素の濃度は、1×1017cm-3未満であることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (5)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/324

FI (2)：

H01L 29/78 311 P ,  H01L 21/265 P

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開昭63-056912
  
• 特開平2-042419
  
• 特開平3-219644
  
• 特開平3-036768
  
• 特開昭59-110115