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J-GLOBAL ID：200903090419579399

化合物半導体のエッチング方法、半導体レーザ素子およびその製造方法

Inventor： 知野 豊治 ,  熊渕 康仁 ,  木戸口 勲 ,  足立 秀人
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997028187
Publication number (International publication number)：1997283505
Application date： Feb. 12, 1997
Publication date： Oct. 31, 1997
Summary：

【要約】【課題】 化合物半導体のドライエッチングにおいて、垂直で平滑なエッチング面を形成する方法を提供する。【解決手段】 本発明によるエッチング方法は、約1010cm-3以上の密度のプラズマを発生するプラズマ源を備えたドライエッチング装置によって、ハロゲン元素を含むガスと窒素ガスとの混合ガスを用いて、III-V族化合物半導体またはII-VI族化合物半導体をドライエッチングするエッチング方法であって、(ハロゲン元素を含むガスの流量)/(窒素ガスの流量)≧1程度であり、エッチング反応中の圧力は、約1mTorrまたは1mTorr以上である。

Claim (excerpt)：

約1010cm-3以上の密度のプラズマを発生するプラズマ源を備えたドライエッチング装置によって、ハロゲン元素を含むガスと窒素ガスとの混合ガスを用いて、III-V族化合物半導体またはII-VI族化合物半導体をドライエッチングするエッチング方法であって、(ハロゲン元素を含むガスの流量)/(窒素ガスの流量)≧1程度であり、エッチング反応中の圧力は、約1mTorrまたは1mTorr以上である、エッチング方法。

IPC (3)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/306 ,  H01S 3/18

FI (4)：

H01L 21/302 A ,  H01S 3/18 ,  H01L 21/302 D ,  H01L 21/306 S

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 特開平4-100226
  
• ドライエッチング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-010873   Applicant：ソニー株式会社
• 特開昭61-136229
  
• 特開平3-225303
  
• 特開平1-094688
  
• 特開平2-042722