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J-GLOBAL ID：200903090420136646

窒化ガリウム系半導体発光素子

Inventor： 山路 太平 ,  高橋 典生
Applicant, Patent owner： 星和電機株式会社
Agent (1)： 大西 孝治 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000118135
Publication number (International publication number)：2001308380
Application date： Apr. 19, 2000
Publication date： Nov. 02, 2001
Summary：

【要約】【目的】 発光強度の低下やリーク電流の増大という問題を引き起こす活性層へのダメージが少なく、活性層の成膜時のクラックを防止し、ウエハ(サファイア基板)全体の反りな極力少なくすることで、より均一な特性の窒化ガリウム系半導体発光素子とする。【構成】 絶縁基板であるサファイア基板100上に形成された活性層400とキャップ層500とからなるPN接合を有する窒化ガリウム系半導体発光素子であって、P型のワイヤボンディング用金属電極910及びN型のワイヤボンディング用金属電極920の下方には、発光に寄与する前記PN接合がない。

Claim (excerpt)：

絶縁基板上に形成されたPN接合を有する窒化ガリウム系半導体発光素子において、ワイヤボンディング用金属電極の下方には、発光に寄与するPN接合がないか、又は電流を流さないPN接合がないように構成したことを特徴とする窒化ガリウム系半導体発光素子。

F-Term (11)：

5F041AA03 ,  5F041AA44 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA88 ,  5F041CA93

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-081948   Applicant：豊田合成株式会社
• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-057235   Applicant：シャープ株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-181595   Applicant：日亜化学工業株式会社