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J-GLOBAL ID：200903090420678309

プラズマ処理装置、プラズマCVD装置及びプラズマ処理方法、それらを用いて作製した薄膜、基板、半導体装置

Inventor： 稲増 崇 ,  和田 健司 ,  森田 春雪
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 佐々木 晴康 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001253733
Publication number (International publication number)：2003068651
Application date： Aug. 24, 2001
Publication date： Mar. 07, 2003
Summary：

【要約】【課題】 大面積処理での面内均一性を向上させるために、高周波電極を中心部と周辺部に分割し、高周波電極の中心部と周辺部における被処理部材に対する距離を異ならしめると、高周波電極の段差により、高周波電極の中心部と周辺部との境目において放電が不安定となり、それによってプラズマ処理が局所的に不均一となってしまう。【解決手段】 分割した高周波電極を用いた場合に、電極中心部と周辺部とでプラズマ処理が不均一となることを解消するために、該分割電極の任意の1小電極において、被処理部材に対向する主面と被処理部材処理面との距離が連続的に異なっていることで、プラズマ処理の均一性を向上させることが可能となり、また、前記小電極主面と被処理部材処理面との距離が連続的に異なるように調節可能とすることで、プラズマ生成条件に合わせて、被処理部材と分割電極との距離を適切な状態に調節でき、プラズマ処理の均一化を図ることができる。

Claim (excerpt)：

反応容器内に、複数の小電極に分割されてなる電極と、被処理部材配設部を備え、被処理部材の処理面と該複数の小電極が対向して配置され、該複数の小電極に分割されてなる電極に、高周波電源から高周波電力を印加することでプラズマを発生させて、該被処理部材に対し処理を行う装置において、任意の1小電極において、被処理部材に対向する主面と被処理部材処理面との距離が連続的に異なっていることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (5)：

H01L 21/205 ,  B01J 19/08 ,  C23C 16/509 ,  H01L 31/04 ,  H05H 1/46

FI (5)：

H01L 21/205 ,  B01J 19/08 H ,  C23C 16/509 ,  H05H 1/46 M ,  H01L 31/04 V

F-Term (37)：

4G075AA24 ,  4G075AA30 ,  4G075AA61 ,  4G075BC04 ,  4G075BC06 ,  4G075CA25 ,  4G075DA02 ,  4G075EB41 ,  4G075EC21 ,  4G075ED13 ,  4G075FB02 ,  4G075FC15 ,  4K030BA30 ,  4K030CA06 ,  4K030CA12 ,  4K030FA03 ,  4K030JA03 ,  4K030JA18 ,  4K030JA19 ,  4K030KA15 ,  4K030KA30 ,  5F045AA08 ,  5F045AB04 ,  5F045AC01 ,  5F045AC19 ,  5F045AF07 ,  5F045BB02 ,  5F045CA13 ,  5F045CA15 ,  5F045DP02 ,  5F045EH04 ,  5F045EH13 ,  5F045EH19 ,  5F051AA05 ,  5F051BA12 ,  5F051CA16 ,  5F051DA04