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J-GLOBAL ID：200903090420968595
ガンダイオード発振器
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999165010
Publication number (International publication number)：2000353920
Application date： Jun. 11, 1999
Publication date： Dec. 19, 2000
Summary：
【要約】【課題】 特性のばらつきがなく、不必要な信号成分を発生させない、ガンダイオード発振器を提供する。【解決手段】 半絶縁性の平板基板31の表面に信号電極15を形成し裏面に接地電極を形成したマイクロストリップ線路の該表面に、裏面の接地電極からヴィアホールを介して接続される表面接地電極16を形成し、信号電極15と表面接地電極16とに、ガンダイオード素子13の第1、第2の電極をそれぞれ接続搭載し、さらに同平板基板31の表面のマイクロストリップ線路14上に発振周波数をカットするフィルタ素子36を構成した。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に、第1の半導体層、活性層および第2の半導体層が順に積層されたガンダイオードで、前記第2の半導体層上に配置され前記活性層に電圧を印加するための第1、第2の電極と、該第1の電極の周囲から前記第2の半導体層および前記活性層に向けて切り込まれ、且つ前記第1の電極が接続される前記第2の半導体層および前記活性層をガンダイオードとして機能させる領域として区画する凹部とを備え、前記第2の電極と前記第1の半導体層との間を短絡する導電性膜を前記凹部内に設け、前記第1、第2の電極が、下地電極層と、該下地電極層に連続して略同じ高さに形成された導電性突起部より構成され、前記第1の電極の前記導電性突起部を略中央部に形成し、その両側に前記第2の電極の前記導電性突起部を形成したガンダイオードと、表面に信号電極を形成し裏面に接地電極を形成したマイクロストリップ線路の該表面に、前記裏面の接地電極からヴィアホールを介して接続される表面接地電極を形成してなる半絶縁性の平板基板と、前記信号電極と前記表面接地電極とに、前記ガンダイオードの第1、第2の電極をそれぞれ接続搭載し、前記信号電極の一端が前記ガンダイオードの第1の電極から接続された箇所から所定の長さLで開放し、該長さLの第1の電極部分を共振器として働かせ、該長さLにより発振周波数を決定するようにしたガンダイオード発振器において、前記マイクロストリップ線路の平板基板と同一基板上に、前記発振周波数をカットするフィルタ素子を備えたことを特徴とするガンダイオード発振器。
IPC (2)：
FI (2)：
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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