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J-GLOBAL ID：200903090450413717

薄膜トランジスタの製造方法

Inventor： 腰塚 靖雄
Applicant, Patent owner： カシオ計算機株式会社
Agent (1)： 杉村 次郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992116756
Publication number (International publication number)：1993291294
Application date： Apr. 10, 1992
Publication date： Nov. 05, 1993
Summary：

【要約】【目的】 アモルファスシリコン膜を熱処理して固相成長によりポリシリコン膜に変換する方法において、変換されたポリシリコン膜の表面を平坦とする。【構成】 アモルファスシリコン膜12上に酸化シリコンや窒化シリコンなどからなる結晶粒子移動抑圧膜13を形成し、その状態で熱処理して固相成長によりアモルファスシリコン膜12をポリシリコン膜に変換する。固相成長時、アモルファスシリコン膜12の結晶粒子の移動が結晶粒子移動抑圧膜13により抑えられるから、変換後のポリシリコン膜の表面を平坦に保持できる。

Claim (excerpt)：

アモルファスシリコン膜の堆積後、このアモルファスシリコン膜上に結晶粒子の移動を抑圧する結晶粒子移動抑圧膜を形成し、その状態で熱処理して固相成長により前記アモルファスシリコン膜をポリシリコン膜に変換するようにしたことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/324