半導体レーザ素子及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：青山葆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993159134
Publication number (International publication number)：1995022690
Application date： Jun. 29, 1993
Publication date： Jan. 24, 1995
Summary：

【要約】【目的】バー状態で特性テストや信頼性試験を行うことができる半導体レーザ素子及びその製造方法を提供する。【構成】半導体基板1上に発光部3を有する積層構造部2が形成されたバー状の半導体レーザ素子において、隣接する発光部3間の領域に対応する積層構造部2上に誘電体層4を形成する。このバー状の半導体レーザ素子のレーザ光の出射端面にバンドギャップエネルギーの高い窓層を形成する。上記積層構造部2上と誘電体層4上に電極6を蒸着により形成する一方、半導体基板1の裏面に電極7を形成する。そして、上記誘電体層4上の電極6の領域をYAGレーザのレーザ光の照射によって蒸発して除去して、電極6を半導体レーザ素子毎に分離する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に、活性層を含むとともに発光部を有する積層構造部が形成され、上記積層構造部上に電極が形成された半導体レーザ素子において、上記積層構造部の側辺部に誘電体層が形成され、上記誘電体層上に上記電極がないことを特徴とする半導体レーザ素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

特開昭63-031186
特開昭63-122189
特開昭63-038277

Show all

Return to Previous Page