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J-GLOBAL ID:200903090470935124
エッチング装置およびエッチング方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
深見 久郎 (外3名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992106758
Publication number (International publication number):1993299377
Application date: Apr. 24, 1992
Publication date: Nov. 12, 1993
Summary:
【要約】【目的】 本発明は、高段差部分を有する下地膜上に、形成される被エッチング膜のオーバエッチング時に被エッチング膜がサイドエッチングされるのを有効に防止することを目的とする。【構成】 本発明は上記目的を達成するため、エッチング装置内にSiの供給源となるSi片9を設けるように構成している。
Claim (excerpt):
エッチング室内に充填された供給ガスをプラズマ放電させることによって被エッチング物をエッチングするエッチング装置であって、前記エッチング室内の所定位置にシリコンを含むシリコン供給材を備えた、エッチング装置。
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