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J-GLOBAL ID：200903090471600835

有機簿膜トランジスタの製造方法及びこれによって製造された有機薄膜トランジスタ

Inventor： 李 相 潤 ,  鄭 銀 貞 ,  韓 政 錫 ,  韓 國 ▲ミン▼ ,  李 泰 雨 ,  朴 鉉 定
Applicant, Patent owner： 三星電子株式会社
Agent (2)： 小野 由己男 ,  稲積 朋子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006163101
Publication number (International publication number)：2007013138
Application date： Jun. 13, 2006
Publication date： Jan. 18, 2007
Summary：

【課題】金属酸化物の仕事関数を有機半導体物質の仕事関数より増加させることで、向上した電気的特性、特に高電荷移動度を表す優れた有機薄膜トランジスタの製造方法を提供する。【解決手段】基板、ゲート電極、ゲート絶縁膜、金属酸化物ソース/ドレイン電極及び有機半導体層を含む有機薄膜トランジスタを製造する方法であって、金属酸化物ソース/ドレイン電極の少なくとも一表面を、スルホン酸基を含有する自己組織化単層膜形成化合物で処理する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板、ゲート電極、ゲート絶縁膜、金属酸化物ソース/ドレイン電極及び有機半導体層を含む有機薄膜トランジスタを製造する方法において、 金属酸化物ソース/ドレイン電極の少なくとも一表面を、スルホン酸基を含有する自己組織化単層膜(Self-Assembled Monolayer、SAM)形成化合物で処理することを特徴とする、有機薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (7)：

H01L 29/786 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30 ,  H01L 51/40 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/417 ,  H01L 21/28

FI (10)：

H01L29/78 616V ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 220D ,  H01L29/28 370 ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616U ,  H01L29/78 616K ,  H01L29/50 M ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/28 301R

F-Term (39)：

4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB02 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB16 ,  4M104BB18 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD77 ,  4M104DD78 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH15 ,  5F110AA01 ,  5F110CC03 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD25 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF27 ,  5F110GG05 ,  5F110GG25 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 米国特許出願公開第2004/0161873号明細書