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J-GLOBAL ID：200903090476796037

改善されたSN比を有する多値固定値メモリセル

Inventor： ドリス シュミット-ラントジーデル ,  ローラント テーヴェス ,  ミヒァエル ボル ,  パウル-ヴェルナー バッセ
Applicant, Patent owner： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
Agent (1)： 矢野 敏雄 (外3名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1996524568
Publication number (International publication number)：1999500559
Application date： Feb. 05, 1996
Publication date： Jan. 12, 1999
Summary：

【要約】本発明は、第1または第2の状態(M,M′′′)を記憶するために対称形に構成されておりかつ少なくとも第3の状態(M′,M′′)を記憶するために非対称形に構成されている多値固定値メモリセルに関する。これにより得られる利点は、とりわけ、顕著な付加コストなしに、メモリ容量の2倍化が、従来のメモリセルに対してSN比が劣化されることなく実現されるという点にある。本発明は、電気的にプログラミング可能かつマスクプログラミング可能な固定値メモリ、殊に低電圧技術におけるような固定値メモリに適している。

Claim (excerpt)：

第1または第2の状態(M,M′′′)の記憶のために対称に構成されておりかつ少なくとも第3の状態(M′,M′′)の記憶のために非対称に構成されている多値固定メモリセル。

IPC (2)：

G11C 16/04 ,  G11C 16/02

FI (2)：

G11C 17/00 305 ,  G11C 17/00 641