Pat

J-GLOBAL ID：200903090481017801

反応防止用下敷き及びその製造方法並びに金属溶融・蒸発装置

Inventor： 中橋 昌子 ,  伊藤 昌行 ,  石川 昌幸
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 波多野 久 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998119180
Publication number (International publication number)：1999310884
Application date： Apr. 28, 1998
Publication date： Nov. 09, 1999
Summary：

【要約】【課題】溶融金属とセラミック容器の反応を低減し、セラミック容器の寿命を長く保つ。【解決手段】金属溶融・蒸発装置20は、アルミナ容器21内に下敷きUS6、US7を搭載し、この下敷きUS6、US7上で直接または間接的(ルツボ22を使用する場合)に金属を溶融する。下敷きUS6、US7は、耐熱性に富む金属部材30、40と、この金属部材30、40表面を覆い且つこの溶融金属MTとの反応性の小さいセラミックス層31、41とを備える。

Claim (excerpt)：

金属を溶融するためのセラミック容器に搭載され且つそのセラミック容器とその容器内の溶融金属との互いの反応を防止する下敷きであって、耐熱性に富む金属部材と、この金属部材の少なくとも一部に配置され且つ前記溶融金属に対する反応性の小さい特性を有するセラミックス層とで構成したことを特徴とする反応防止用下敷き。

IPC (6)：

C23C 28/00 ,  C23C 4/10 ,  C23C 4/12 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/24 ,  C23C 24/08

FI (6)：

C23C 28/00 B ,  C23C 4/10 ,  C23C 4/12 ,  C23C 14/08 Z ,  C23C 14/24 A ,  C23C 24/08 C