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J-GLOBAL ID：200903090490551896

PZT薄膜の形成方法及びPZT薄膜

Inventor： 厚木 勉 ,  米澤 政 ,  小木 勝実
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアル株式会社
Agent (1)： 重野 剛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997054680
Publication number (International publication number)：1998251022
Application date： Mar. 10, 1997
Publication date： Sep. 22, 1998
Summary：

【要約】【課題】 基板上に下地層を介して形成したPZT薄膜の残留分極の低下を防止する。【解決手段】 基板上にPbTiX O(2X+1)(ただし0.2≦X≦0.8)下地層を形成し、この下地層上にPZT薄膜形成用前駆体溶液を塗付して熱処理することによりPZT薄膜を形成する。【効果】 膜の結晶化度、平坦性の向上のために下地層を介して形成したPZT薄膜の残留分極の低下を防止して、良好なPZT薄膜を形成できる。

Claim (excerpt)：

基板上にPbTiX O(2X+1)(ただし0.2≦X≦0.8)よりなる下地層を形成し、次いでこの下地層の上にPZT薄膜形成用前駆体溶液を塗付し、熱処理してPZT薄膜を形成するPZT薄膜の形成方法。

IPC (5)：

C01G 25/00 ,  C01G 21/00 ,  C01G 23/00 ,  C23C 26/00 ,  C30B 29/32

FI (6)：

C01G 25/00 ,  C01G 21/00 ,  C01G 23/00 C ,  C23C 26/00 C ,  C30B 29/32 D ,  C30B 29/32 Z