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J-GLOBAL ID：200903090492731140

イオン吸着体

Inventor： 大柳 初代 ,  小泉 洋介
Applicant, Patent owner： 旭化成株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001164029
Publication number (International publication number)：2002355564
Application date： May. 31, 2001
Publication date： Dec. 10, 2002
Summary：

【要約】【課題】 半導体分野における超純水製造プロセスにおいて、微粒子、コロイド状物質、金属イオンを極低濃度まで吸着除去出来るイオン吸着体の提供。【解決手段】 樹脂焼結多孔体表面にイオン交換機能を持つ官能基が導入されたイオン吸着体であって、そのイオン交換容量が0.5〜10meq/gであることを特徴とするイオン吸着体。

Claim (excerpt)：

樹脂焼結多孔体表面にイオン交換機能を持つ官能基が導入されたイオン吸着体であって、そのイオン交換容量が0.5〜10meq/gであることを特徴とするイオン吸着体。

IPC (8)：

B01J 39/04 ,  B01J 39/20 ,  B01J 41/04 ,  B01J 41/14 ,  B01J 45/00 ,  C02F 1/42 ,  C08J 5/20 CER ,  C08L101:00

FI (8)：

B01J 39/04 G ,  B01J 39/20 Z ,  B01J 41/04 G ,  B01J 41/14 E ,  B01J 45/00 R ,  C02F 1/42 B ,  C08J 5/20 CER ,  C08L101:00

F-Term (17)：

4D025AA04 ,  4D025AB01 ,  4D025AB05 ,  4D025BA08 ,  4D025BA13 ,  4D025BA17 ,  4D025BA27 ,  4D025BA28 ,  4F071AA02 ,  4F071AA14 ,  4F071AF06 ,  4F071AF36 ,  4F071AH19 ,  4F071FA01 ,  4F071FB01 ,  4F071FB02 ,  4F071FD02