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J-GLOBAL ID:200903090502306264

ガス供給用部材及び成膜装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 杉村 暁秀 (外5名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993062036
Publication number (International publication number):1994275530
Application date: Mar. 22, 1993
Publication date: Sep. 30, 1994
Summary:
【要約】【目的】 TiCl4 等の常温で液体の材料を含むガスを成膜装置内へと導入するのに際し、上記材料が凝結するのを防止し、安定して成膜やクリーニングを行えるようにすることである。これによって、上記材料がチャンバー内に滞留するのを防止し、チャンバーの腐食が生じないようにすることである。【構成】 ガス供給用部材1の盤状基体2はセラミックスからなり、複数のガス導入孔が盤状基体2に設けられている。抵抗発熱体が盤状基体2に埋設されている。常温で液状の材料を含むガスを、矢印Aのようにチャンバー18内へと供給する。チャンバー18の内側に発熱材21を設置する。発熱材21の筒状基体6はセラミックスからなり、筒状基体6の内部に抵抗発熱体4Cが埋設されている。発熱材21の内側に半導体ウエハー12が設置されている。半導体ウエハー12を加熱しながら、成膜する。
Claim (excerpt):
常温で液体の材料を含むガスを成膜装置内へと導入するためのガス供給用部材であって、セラミックスからなる盤状基体に複数のガス導入孔が設けられており、抵抗発熱体が前記盤状基体に埋設されていることを特徴とするガス供給用部材。

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