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J-GLOBAL ID：200903090514490664

コンデンサ構造の保護のための絶縁性と導電性の障壁の使用

Inventor： スコット アール、サマーフェルト ,  スチーブン アール、ギルバート ,  ルイジ コロンボ ,  セオドアー エス、モイズ
Applicant, Patent owner： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
Agent (1)： 浅村 皓 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000389336
Publication number (International publication number)：2001210798
Application date： Dec. 21, 2000
Publication date： Aug. 03, 2001
Summary：

【要約】【課題】 水素や汚染で劣化しない半導体デバイスのコンデンサ構造を提供する。【解決手段】 コンデンサ構造(図1の125)は側面と上表面とをそなえた下電極(図1の124)と、上表面と側面とをそなえ、前記下電極の前記上表面の上に配置されたコンデンサ誘電体であって、水素により劣化する電気的特性をそなえるコンデンサ誘電体(図1の126)と、上表面と側面とをそなえ、前記コンデンサ誘電体の上に配置された上電極(図1の128および130)と、前記コンデンサ誘電体の前記側面の上に配置された窒化シリコン層(図1の120)と、前記コンデンサ誘電体の前記側面と前記窒化シリコン層との間に配置された酸化アルミニウム層(図1の118)とを含む。

Claim (excerpt)：

コンデンサ構造であって、側面と上表面とをそなえた下電極と、上表面と側面とをそなえ、前記下電極の前記上表面の上に配置されたコンデンサ誘電体であって、水素により劣化する電気的特性をそなえるコンデンサ誘電体と、上表面と側面とをそなえ、前記コンデンサ誘電体の上に配置された上電極と、前記コンデンサ誘電体の前記側面の上に配置された窒化シリコン層と、前記コンデンサ誘電体の前記側面と前記窒化シリコン層との間に配置された酸化アルミニウム層とを具備するコンデンサ構造。

IPC (4)：

H01L 27/105 ,  H01L 27/10 461 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (5)：

H01L 27/10 461 ,  H01L 27/10 444 B ,  H01L 27/10 621 Z ,  H01L 27/10 621 C ,  H01L 27/10 651