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J-GLOBAL ID：200903090521424910

レジストの剥離方法及び半導体装置の製造方法

Inventor： 村本 准一
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 逢坂 宏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002324628
Publication number (International publication number)：2004157424
Application date： Nov. 08, 2002
Publication date： Jun. 03, 2004
Summary：

【課題】表面硬化層を有するレジストを短時間で容易に、しかも他の層に損傷を与えたり、塵埃を生じることなしに除去する方法を提供すること。【解決手段】レジスト3の表面上に超短パルスレーザー光20を照射して、表面硬化層9の少なくとも一部をアブレーションで除去するか、或いは、表面硬化層9の上方に超短パルスレーザー光20を入射して集光することにより雰囲気を絶縁破壊し、生じた衝撃波により表面硬化層9にクラック21を生じさせ、更にこれによって露出したレジスト9をアッシング又は超臨界流体中のレジスト剥離液で除去する、レジストの剥離方法と、これを用いた半導体装置の製造方法。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

表面硬化層のあるレジストを剥離する方法において、 前記レジストの表面上にレーザー光を照射して、前記表面硬化層の少なくとも一部をアブレーションで除去する工程と、 露出した前記レジストを除去する工程と を有することを特徴とする、レジストの剥離方法。

IPC (3)：

G03F7/42 ,  H01L21/027 ,  H01L21/302

FI (3)：

G03F7/42 ,  H01L21/302 201B ,  H01L21/30 572A

F-Term (14)：

2H096AA25 ,  2H096LA01 ,  2H096LA03 ,  5F004BA20 ,  5F004BB03 ,  5F004BD01 ,  5F004DA26 ,  5F004DA27 ,  5F004DB26 ,  5F004EA28 ,  5F004FA02 ,  5F046MA12 ,  5F046MA17 ,  5F046MA19