Pat
J-GLOBAL ID：200903090521697932

多層配線形成法

Inventor：
服部 敦夫

About 服部 敦夫


Applicant, Patent owner：
ヤマハ株式会社

About ヤマハ株式会社


Agent (1)： 伊沢 敏昭
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991210140
Publication number (International publication number)：1993036837
Application date： Jul. 26, 1991
Publication date： Feb. 12, 1993
Summary：
【要約】【目的】 層間絶縁膜をエッチバックして層間接続部を露出させることを含む多層配線形成法において、層間接続部の低抵抗化を図る。【構成】 基板10を覆う絶縁膜12の表面に絶縁体、導電体等からなる突出部30を形成した後、この突出部に一部が重なるように第1の配線層34を形成する。そして、基板上面に堆積絶縁膜36、塗布絶縁膜38等により層間絶縁膜をほぼ平坦状に形成した後、この層間絶縁膜をエッチバックして突出部30の上方で配線層34の一部からなる層間接続部34aを露出させる。この後、基板上面に層間接続部34aと接続されるように第2の配線層42を形成する。層間接続部34aとして第1の配線層34の一部を使用するので、接続抵抗の低減が可能となる。
Claim (excerpt)：
(a)基板を覆う絶縁膜の表面に配線レベルを部分的に高めるための突出部を形成する工程と、(b)前記絶縁膜の上に第1の配線層をその一部が前記突出部に重なるように形成する工程と、(c)前記絶縁膜の上に前記突出部及び前記第1の配線層を覆って層間絶縁膜を形成する工程と、(d)前記層間絶縁膜をエッチバックして前記突出部の上方で前記第1の配線層の一部からなる層間接続部を露出させ且つ該層間接続部の周囲に前記層間絶縁膜の一部を残存させる工程と、(e)前記層間絶縁膜の残存部分の上に前記層間接続部と接続されるように第2の配線層を形成する工程とを含む多層配線形成法。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
  • 特開平2-001125
  • 特開平2-135758
  • 特開昭63-250153
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM