Pat

J-GLOBAL ID：200903090533636416

磁気スイッチング素子及びそれを用いた磁気センサと磁気記録再生装置

Inventor： 星屋 裕之 ,  高橋 宏昌 ,  鈴木 良夫
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996229702
Publication number (International publication number)：1998074308
Application date： Aug. 30, 1996
Publication date： Mar. 17, 1998
Summary：

【要約】【課題】高記録密度,高転送速度の磁気記録再生装置を得る。【解決手段】半導体基体上のトランジスタを直接に磁気抵抗効果膜で駆動する磁気センサ。

Claim (excerpt)：

半導体基体上に形成されたトランジスタ或いはダイオードの半導体素子に信号を入力するエミッタ或いはゲート部に、磁界によって電気特性の変化する薄膜を有し、上記素子に印加される磁界によって応答の異なる特性を有することを特徴とする磁気スイッチング素子。

IPC (2)：

G11B 5/39 ,  G11B 5/09 301

FI (2)：

G11B 5/39 ,  G11B 5/09 301 Z