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J-GLOBAL ID：200903090539143462

絶縁ゲート型電界効果半導体装置

Inventor： 山崎 舜平
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Agent (1)： 加藤 恭介
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992333725
Publication number (International publication number)：1994125088
Application date： May. 18, 1984
Publication date： May. 06, 1994
Summary：

【要約】【目 的】 オフ電流が少なく、かつオン、オフを高速応答で行うことができる絶縁ゲート型電界効果半導体装置を提供する。【構 成】 絶縁ゲート型電界効果トランジスタのチャネル形成領域は、水素またはハロゲン元素が添加された非単結晶半導体よりなり、該非単結晶半導体に隣接するソ-スおよびドレインを構成する一対の不純物領域は、前記チャネル形成領域の半導体に比べて結晶化が助長され、かつ当該結晶化が助長されて設けられた領域は、前記ゲート電極下のチャネル形成領域の内部にわたって設けられたことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

絶縁ゲート型電界効果トランジスタのチャネル形成領域は、水素またはハロゲン元素が添加された非単結晶半導体よりなり、該非単結晶半導体に隣接するソ-スおよびドレインを構成する一対の不純物領域は、前記チャネル形成領域の半導体に比べて結晶化が助長されて設けられ、かつ当該結晶化が助長されて設けられた領域は、前記ゲート電極下のチャネル形成領域の内部にわたって設けられたことを特徴とする絶縁ゲート型電界効果半導体装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭58-002073
  
• 特開昭58-127382
  
• 特開昭55-050663