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J-GLOBAL ID：200903090541612453

高分子複合電極

Inventor： 佐藤 佳子 ,  上町 裕史 ,  神原 輝壽 ,  外邨 正 ,  竹山 健一
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991180824
Publication number (International publication number)：1993028823
Application date： Jul. 22, 1991
Publication date： Feb. 05, 1993
Summary：

【要約】【目的】 イオン伝導性高分子材料に電子伝導性材料を混合した高分子複合電極について、電極と電解質膜間の界面抵抗を減少させる。【構成】 イオン伝導性高分子材料に、電子伝導性材料としてアニリン、ピロール、チオフェン、フラン、セレノフェン、パラフェニレンなどの重合体または、カーボンを混合し、さらに電子伝導性高分子を形成するモノマーを共存させ、膜中でこれらのモノマーの電解重合を行なって、電解質膜表面に電子伝導性高分子膜を形成し、電極と電解質との接触面積を増加させる。この構成によって電極と電解質膜の界面抵抗が減少する。

Claim (excerpt)：

電子伝導性材料とイオン伝導性材料を主体としてなる複合電極にあって、電子伝導性材料表面に電解重合膜を形成させた高分子複合電極。

IPC (7)：

H01B 1/06 ,  C08F220/28 MML ,  C08K 5/29 ,  C08L 71/02 LQC ,  H01B 1/12 ,  H01M 4/60 ,  C08G 18/66 NEX